InGaAs-通用型APD，響應波長1000-1630nm，內增益機制顯著增強信號，尤其適用于1550nm探測。增益遠超普通InGaAs-PD，是長波長通信等應用的理想選擇。

內置前放型InGaAs-APD集成高速前置放大，有效降低噪聲與漂移，顯著提升探測信噪比。專為高精度需求設計，如光纖通信、光譜分析，簡化后續電路設計。

尾纖耦合型InGaAs-APD，支持多光纖接口與不同尺寸尾纖，靈活對接各類系統。高靈敏度、寬波長覆蓋，專為1550nm等長波長通信、激光雷達等領域設計，提升信號檢測精度與效率。

銦鎵砷雪崩光電二極管模塊，專為近紅外光譜設計，結合了InGaAs材料的高靈敏度和APD的雪崩倍增效應，實現了超長距離、超弱光信號的精確探測。廣泛應用于光通信等領域。