紫外增強型APD在紫外波段具有非常高的響應度，它利用雪崩效應放大入射光信號，因此在極低光強下也能實現高效探測。其光譜響應范圍可以延伸至255nm，目前主要的應用領域包括：醫療檢測、熒光分析等。
紅綠光增強型APD的響應峰值為650nm，在紅綠光波長范圍具有非常高的響應度，非常適合高速微弱可見光探測，是目前可見光測距儀的理想選擇。主要的應用領域包括：紅綠激光測距儀、激光掃描儀、光通信等。
近紅外增強型APD在905nm有極高的量子效率和響應度，有目前最小的芯片尺寸和各類特殊封裝，專為激光雷達(LiDAR)和激光測距儀而設計，部分器件能適應車載等苛刻的高溫高濕條件。應用：激光雷達、激光測距、安檢掃描、3D測量、激光通信。
1064nm增強型APD是優化用于探測1064nm波長（近紅外區域）的高靈敏度光電探測器。在850nm-1000nm波段的量子效率高達80%以上，具有響應速度高、暗電流低等優點。應用：1064nm激光測距等，是工業、科研和軍事領域的重要激光波段。
內置前放型Si-APD在內部集成了高速的前置放大電路，可最大程度地減少噪聲和漂移，提升探測信噪比。同時減少了對外部電路的需求，以便于在各類光電系統中快速集成，實現方便客戶進行后續的電路設計的作用。
我們所提供的近紅外增強型Si-APD陣列主要針對MEMS和FLASH型激光雷達，保持單顆APD性能的同時提高系統分辨率，有效降低串擾，并且有多種像元尺寸、排列方式和適應不同條件的封裝可供選擇，方便客戶在最終定制前挑選出最適合的陣列方案。
Si APD模塊采用低噪聲硅APD，配有匹配的前置放大器和集成高壓電源，可以輕松快速地集成到各類光電系統中去，以便于客戶后續的設計和生產。根據具體應用需求的不同，我們可以提供不同型號的Si APD模塊。
尾纖耦合型APD采用“穿透式”結構，具有極低的噪聲和暗電流，出色的量子效率和速度，適用于極低光照度的監測。同時它還提供有多種封裝可供選擇，這使得APD能夠用于各種要求苛刻的應用，主要包括光譜學、熒光檢測、激光雷達和醫療等。
Reach-through貫通型APD相比一般的外延型APD(近紅外增強型)造價更高，但隨之帶來的是更高的響應和增益，更寬的增益區，更平穩的增益曲線，更可靠的耐擊穿特性以及更低的過剩噪聲系數。
制冷型Si-APD能夠通過制冷技術有效地降低熱噪聲和暗電流，從而顯著提升對弱光信號的探測能力，提升器件自身的信噪比和穩定性。這種APD尤其在高精度探測應用中表現出色，具體制冷方式的選擇取決于應用需求和所需的工作溫度。
