GaAs-PD屬于近紅外光電二極管，響應速度快，可用于光通訊、安防、光屏障等領域。我們提供的產品有芯片、內置前放、陣列等，可提供濾色片以及光纖接口選項。

InGaAs-PD屬于近紅外光電二極管，噪聲低、速度快。和Si材料相比其能隙寬度更窄，因此波長范圍更大，響應度更高。我們除了提供1.7μm截止的通用型器件，還提供擴展型器件，并且可根據需要選擇適合的光敏面大小和探測器陣列。

Ge-PD屬于近紅外光電二極管，在1.1um到1.7um波長范圍內具有優異的探測性能，目前應用于夜視設備、氣體分析、光譜分析、光纖通信等領域。我們還可以提供探測器模塊、多種光纖接口以及不同尺寸的尾纖選項。

InAs-PD的帶隙能量約為0.35eV，主要用于中紅外波段（3-5 um）的光電探測，相比InGaAs擴展型擁有更長的截止波長，更大的分流電阻，并且可以在室溫下工作。主要應用于非接觸式測溫、激光監測、紅外分光光度計等領域。

InSb探測器屬于光子型中波紅外器件，光譜響應范圍1um-5.5um，相比PbS與PbSe等鉛鹽類探測器擁有更廣的光譜、更高的響應速度以及更高的信噪比。在氣體分析、光譜分析、輻射度計、紅外顯微等領域有廣泛應用。

PbS探測器一般工作在光導模式下，截止波長達3.4μm。相比熱探測器，其信噪比更高，響應速度更快。但暗電阻和響應特性易受環境影響，需在穩定環境或制冷下使用。主要用于火焰探測、紅外水分檢測、紅外光譜儀及非接觸測溫等領域。

PbSe探測器一般為光導模式，截止波長可達5.2 um，與熱探測器相比有信噪比高、響應速度快、可以在室溫工作等優點。但暗電阻和響應特性易受外界環境（紫外光、溫度）等影響，需要在穩定環境中或制冷方式下使探測器工作在最佳狀態。

MCT(HgCdTe)探測器屬于光子型長波紅外器件，TEC制冷的光譜響應范圍2um-9um，液氮或斯特靈制冷的光譜響應范圍可達2-24um，擁有長波紅外最高的信噪比與響應速度。主要應用領域包括氣體分析、紅外傅里葉光譜、熱成像、污染監測等。

熱釋電探測器能對全光譜信號產生響應，相比于其他熱探測器件有更好的信噪比與更快的響應速度。但由于窗口材料的限制，通常分為對氣體優化的窄帶探測或針對中長波紅外的寬帶探測。我們可以提供的熱釋電材料有LTO(LiTaO3)與DLaTGS。

熱電堆是一種被動式熱輻射探測器件，無需偏置和制冷且不產生輻射，全光譜覆蓋，可選擇濾色片、串口材料、熱敏電阻、視場、填充氣體以及內置電路等參數。應用：非接觸式測溫、氣體分析、火焰探測、熱成像、激光監測、輻射度計等。