特性
| 探測器材料-底層 | 探測器材料 | 光敏尺寸 | 光敏尺寸-底層 | 響應(yīng)波長-范圍 | 響應(yīng)波長范圍-底層 | 響應(yīng)度-峰值 | 響應(yīng)度-底層 | 比探測率 | 比探測率-底層 | 制冷溫度 | 封裝 | 封裝類型 | 引腳數(shù) | 窗口 | 原廠封裝 | 工作模式 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| InSb | MCT | ?2 , 2.0x2.0 mm | 2.0x2.0 mm | 1 … 5.5 μm | 5.5 … 12.5 μm | >3A/W | >1000V/W | >1.0E+11cm√Hz/W | >2.0E+10cm√Hz/W | 77K | MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12 | Special | / | ZnSe | MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12 | / |
Datasheet
