替代GaP探測器的最優選擇 - SiC探測器

　　對于峰值輻射在210nm-346nm之間的測量應用（例如UV紫外消毒、水質分析或燃燒火焰控制），SiC UV光電二極管可以完全替代GaP UV光電二極管，甚至可以輸出更高的光電流。僅346nm-380 nm的峰值輻射照射下的SiC器件與GaP（在相同的有源區域）相比會輸出較低的光電流。但如果輻射強度很高，例如在365nm的固化應用中，SiC的電流輸出仍將保持在可用水平。